（原标题：北京大学肯求半导体结构专利赛优市场调研，可兑当今阵一火栅极去除的位置变成栅极） 金融界2023年12月30日音书，据国度常识产权局公告，北京大学肯求一项名为“半导体结构的制备圭臬及半导体结构“，公开号CN117316770A，肯求日历为2023年10月。 专利摘录清楚，本肯求提供一种半导体结构的制备圭臬及半导体结构，该制备圭臬包括：变成沟说念；在沟说念的侧壁变成阵一火栅极结构；其中，阵一火栅极结构包括栅介质层和阵一火栅极，栅介质层位于沟说念和阵一火栅极之间；变成与沟说念的顶部聚会的第